Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA415DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA415DJ
SIA415DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA415DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketi ile küçük ve kompakt tasarımlar için uygundur. 4.5V gate voltajda 35mOhm düşük kanal direnci (RDS On) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama güç kaynakları, yük kontrolü ve düşük gerilim güç yönetimi devrelerinde yer alır. 47nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun performans sunar. Part status obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok