Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA414DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA414DJ
SIA414DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA414DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketi sayesinde kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. 11mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Mobil cihazlar, USB güç yönetimi, şarj devreleri ve düşük gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok