Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA413DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA413DJ
SIA413DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA413DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ve 12A sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtar kontrolü sağlar. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 29mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli performans gösterir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir işletim sunar. Düşük gate charge (57nC) ve düşük input capacitance (1800pF) sayesinde hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Pil yönetim devreleri, güç dağıtım üniteleri ve portatif cihazlarda yüksek kenarbaşı elektron transistör uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok