Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA413ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA413ADJ
SIA413ADJ-T1-GE3 Hakkında
SIA413ADJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK SC-70-6 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 29mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Gate charge 57nC @ 8V olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 19W maksimum güç dağılımına dayanır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve PowerPAK yapılandırmasından faydalanan kompakt tasarımlar için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok