Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA411DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA411DJ
SIA411DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA411DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük öngerilim uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±8V maksimum gate-source gerilimi sınırı ile çalışan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 3.5W (Ta) ve 19W (Tc) güç yayınlama kapasitesi ile kontrollü anahtar uygulamaları, güç dağıtım yönetimi ve mobil cihaz devrelerinde yer alır. Kompakt paketi sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uygundur. Bileşenin üretimi durdurulmuş olup, stok mevcutsa tedarik edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok