Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA406DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA406DJ
SIA406DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA406DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaktadır. PowerPAK SC-70-6 yüzey monte paketi ile kompakt tasarımlara uygunluk sağlar. 19.8mOhm düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon ve küçük sinyal kontrolü gibi genel amaçlı MOSFET uygulamalarında tercih edilir. Ürün artık üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.8mOhm @ 10.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok