Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA400EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA400EDJ
SIA400EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA400EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 19mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SC-70-6 yüzey montaj paketi sayesinde kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Sürücü devreleri, PWM kontrolcüler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1265 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 19.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 11A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok