Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA110DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA110DJ
SIA110DJ-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIA110DJ-T1-GE3, 100V drain-source gerilim ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 5.4A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 12A yüksek sıcaklık drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 55mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK SC-70-6 yüzey montajlı paketlemesiyle kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük sinyal seviyeleriyle kontrol edilebilir (Vgs(th) 4V @ 250µA). Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, yük kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Ta), 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok