Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA108DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA108DJ
SIA108DJ-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIA108DJ-T1-GE3, 80V drain-source geriliminde çalışan N-channel MOSFET transistördür. 6.6A sürekli dren akımı (Ta) ve 12A (Tc) kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 38mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama ve doğrultma devrelerinde verimli işlem sağlar. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu bileşen, mobil cihazlar, güç yönetimi modülleri ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerinde sıklıkla tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen yapısıyla geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Ta), 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 545 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok