Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA106DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA106DJ
SIA106DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA106DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ile 10A (Ta) / 12A (Tc) sürekli dren akımı sağlayarak güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SC-70-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (18.5mOhm @ 4A, 10V) karakteristiği sayesinde anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 3.5W (Ta) / 19W (Tc) güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici ürünlerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok