Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI9435BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI9435
SI9435BDY-T1-GE3 Hakkında
SI9435BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 4.1A sürekli drenaj akımı ve 42mOhm (10V, 5.7A'de) on-state direnci ile çalışır. 8-SOIC SMD paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. ±20V gate gerilim aralığı ve 24nC gate yükü özellikleriyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Düşük güç kaybı (1.3W) ve hızlı komütasyon karakteristiği sayesinde güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yük anahtarlama sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok