Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI9433BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI9433

SI9433BDY-T1-GE3 Hakkında

SI9433BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss değeri ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi uygulamalarında çalışabilir. 40mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışır. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kapı yükü sayesinde verimli devre tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok