Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI9424BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI9424BDY
SI9424BDY-T1-GE3 Hakkında
SI9424BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 5.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle analog ve dijital anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 25mOhm on-state resistance ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 40nC ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Motor kontrol devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±9V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok