Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI9410BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI9410
SI9410BDY-T1-E3 Hakkında
SI9410BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 6.2A sürekli dren akımını destekler. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnci (24mOhm @ 10V) sayesinde güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 23nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok