Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI9407BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI9407
SI9407BDY-T1-GE3 Hakkında
SI9407BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 4.7A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 120mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge 22nC ve input capacitance 600pF özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Motor kontrol, güç dağıtımı, yük anahtarlaması ve diğer switching uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok