Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI9407BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI9407
SI9407BDY-T1-E3 Hakkında
SI9407BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 4.7A sürekli drain akımı ile çalışır. 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 10V kapı geriliminde 120mOhm maksimum açık durumda direnç (Rds On) değerine sahiptir. 22nC gate charge ve 600pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Motor kontrol, güç yönetimi, elektronik anahtar ve güç dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok