Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8851EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 30-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8851
SI8851EDB-T2-E1 Hakkında
SI8851EDB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 7.7A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 8mΩ maksimum Rds On değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount Power Micro Foot® (2.4x2) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri, pil yönetim sistemleri ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 30-XFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | Power Micro Foot® (2.4x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok