Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8824EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8824
SI8824EDB-T2-E1 Hakkında
SI8824EDB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ve 2.1A sürekli drain akımı (Id) ile çalışan bu bileşen, düşük Rds On değeri (75mOhm @ 1A, 4.5V) sayesinde verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4-pin XFBGA/Microfoot paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, PWM uygulamaları ve hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 500mW güç tüketebilen bileşen, kompakt tasarımlar için idealdir. 6nC gate charge ve 400pF input capacitance değerleriyle hızlı komutasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok