Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8819EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8819
SI8819EDB-T2-E1 Hakkında
SI8819EDB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 2.9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 3.7V gate geriliminde 80mOhm maksimum on-direnç değeri sunar. 17nC gate charge ve 650pF input kapasitans karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 4-XFBGA (4-MICRO FOOT®) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, DC/DC dönüştürücüler, pil yönetim sistemleri, motor kontrol devreleri ve genel güç anahtarlaması uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 3.7V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1.5A, 3.7V |
| Supplier Device Package | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok