Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8817DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8817DB
SI8817DB-T2-E1 Hakkında
SI8817DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj desteği ve 2.1A maksimum sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate voltajda 76mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 4-XFBGA paketinde sağlanan komponent, mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 615 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok