Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8816EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8816
SI8816EDB-T2-E1 Hakkında
SI8816EDB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 1.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. 109mOhm (10V, 1A) on-state direnç değeri ile enerji verimliliği sağlar. 4-Microfoot yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Mobil cihazlar, IoT sensörleri, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve düşük sinyal işleme devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 109mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok