Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8812DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8812DB
SI8812DB-T2-E1 Hakkında
SI8812DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 2.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 59mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 4-Microfoot yüzey montajlı paket tipi ile kompakt tasarımları destekler. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında, anahtarlayıcı kaynaklar, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok