Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8810EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8810
SI8810EDB-T2-E1 Hakkında
SI8810EDB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 2.1A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 72mOhm maksimum on-direnç (Rds On) ile verimli güç dağılımı sağlar. Microfoot paket teknolojisi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanıma uygundur. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, mobil cihazlar, IoT uygulamaları, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 245 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok