Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8809EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8809
SI8809EDB-T2-E1 Hakkında
SI8809EDB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source voltajı ve 1.94A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate voltajında 90mOhm maksimum on-resistance değerine sahip olan bu bileşen, düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve batarya uygulamalarında tercih edilir. 4-XFBGA (Microfoot) kasa tipi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 15nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.94 (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok