Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8808DB-T2-E1
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8808DB
SI8808DB-T2-E1 Hakkında
SI8808DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 1.8A sürekli drain akımı, 95mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 500mW güç dissipasyon kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde etkin bir şekilde çalışır. 4-Microfoot yüzey montajlı pakette sunulan bu MOSFET, düşük kapı yükü (10nC) sayesinde hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok