Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8806DB-T2-E1
MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8806
SI8806DB-T2-E1 Hakkında
SI8806DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 12V Drain-Source gerilimi ile çalışan bu transistör, 2.8A sürekli drain akımına kapasitedir. 4-XFBGA (4-Microfoot) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, düşük RDS(on) değeri (4.5V gate geriliminde 43mOhm) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilen SI8806, güç yönetimi, batarya uygulamaları, LED sürücüler ve düşük gerilim anahtarlama devrelerinde kullanılır. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok