Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8805EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8805
SI8805EDB-T2-E1 Hakkında
SI8805EDB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source voltaj desteği ve 2.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 4-XFBGA/CSPBGA (4-Microfoot) paket tipi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun miniatur bir çözüm sunar. Maximum 500mW güç tüketimi ile batarya beslemeli cihazlar, mobil uygulamalar, portable elektronik ve IoT ürünlerinde switch kontrolü ve güç yönetimi fonksiyonlarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok