Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8802DB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8802
SI8802DB-T2-E1 Hakkında
SI8802DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 54mOhm'luk düşük on-state direnci (RDS(on)) ile verimli anahtarlama sağlar. 4-Microfoot yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (6.5nC) ve kompakt boyutu sayesinde mobil cihazlar, pil yönetimi sistemleri, güç dağıtım modülleri ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. 500mW maksimum güç tüketimi ile enerji verimliliği gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok