Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8499DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8499DB
SI8499DB-T2-E1 Hakkında
SI8499DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilim, 16A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 6-Micro Foot (1.5x1mm) yüzeye monte paketinde sunulmaktadır. 32mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi uygulamaları, batarya yönetim sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve mobil cihazlardaki güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. Gate charge değeri 30nC ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok