Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8497DB-T2-E1
MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8497
SI8497DB-T2-E1 Hakkında
SI8497DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 6-UFBGA (6-microfoot) yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (53mΩ @ 4.5V) sayesinde verimli güç anahtarlaması sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SI8497, batarya yönetim sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, güç dağıtım üniteleri ve mobil cihazlarda yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (49nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok