Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8489EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8489
SI8489EDB-T2-E1 Hakkında
SI8489EDB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V dren-kaynak voltajı (Vdss) ile tasarlanan bu bileşen, 3.06A sürekli dren akımı sağlayabilir. 44mΩ maksimum on-state direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı ve verimli anahtarlama özellikleri sunur. 4-UFBGA (4-Microfoot) yüzey montaj paketinde üretilen bu MOSFET, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük kapı yükü (27nC @ 10V) ve hızlı komütasyon özelliğiyle güç yönetimi uygulamaları, batarya şarj devre kartları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi dar alanlarda kullanıma uygundur. Kompakt paketi, taşınabilir cihazlar ve IoT uygulamalarında yer tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.06A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 765 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok