Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8487DB-T1-E1
MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8487
SI8487DB-T1-E1 Hakkında
SI8487DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 4.9A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışır. 4-Microfoot (4-UFBGA) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (31mOhm @ 2A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. Gate yükü 80nC, kapı eşik gerilimi 1.2V olup, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve mobil cihaz uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2240 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok