Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8481DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8481
SI8481DB-T1-E1 Hakkında
SI8481DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltaj ve 9.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 4.5V gate voltajında 21mOhm ile düşük RDS(on) değerine sahip olup, güç kaybını minimize eder. 4-MICRO FOOT yüzey montajlı paket içinde gelmektedir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge 47nC @ 4.5V değerindedir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılan yüksek entegre yoğunluklu bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok