Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8475EDB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8475
SI8475EDB-T1-E1 Hakkında
SI8475EDB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss ve 4.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4-Microfoot (CSPBGA) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, düşük 32mΩ Rds(on) değeri sayesinde ısıl kayıpları minimizes. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olması gömülü sistemler, pil yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen ürün hayatının sonuna ulaştığı için yeni tasarımlarda alternatif bileşen değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok