Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8472DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8472DB
SI8472DB-T2-E1 Hakkında
SI8472DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında 3.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 44mΩ (4.5V, 1.5A) maksimum Rds(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında kullanılır. 4-MICRO FOOT yüzey monte paketinde sunulan SI8472DB, 1.5V ve 4.5V sürüş voltajlarında çalışır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda, anahtarlama devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 630pF giriş kapasitansiyle hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 780mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-MICRO FOOT® (1x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok