Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8469DB-T2-E1
MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8469
SI8469DB-T2-E1 Hakkında
SI8469DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source voltaj ile 4.6A sürekli drenaj akımı kabiliyetine sahiptir. 64mOhm maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4-Microfoot (4-UFBGA) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri ve batarya uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama ortamlarını destekler. 17nC gate charge ve 900pF input capacitance ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. Maksimum 780mW güç tüketimi sayesinde kompakt tasarımlarda tercih edilir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok