Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8467DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8467
SI8467DB-T2-E1 Hakkında
SI8467DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim, 2.5A sürekli drenaj akımı ve 73mΩ on-resistance (4.5V Vgs'de) özellikleriyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount 4-Microfoot (4-XFBGA CSPBGA) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve portable cihazlarda yer alan analog/dijital devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 780mW (Ta) güç tüketir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok