Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8466EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8466
SI8466EDB-T2-E1 Hakkında
SI8466EDB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 43mOhm maksimum RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 4-Microfoot (WLCSP) ultra-kompakt paketlemesi, mobil cihazlar, USB güç dağıtımı, batarya yönetimi ve IoT uygulamalarında yer tasarrufu gerektiren tasarımlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA, WLCSP |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok