Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8465DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8465
SI8465DB-T2-E1 Hakkında
SI8465DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim kapasitesi ve 2.5A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4mOhm On-Resistance değeri ile düşük ısı kaybında çalışan uygulamalarda tercih edilir. 4-Microfoot yüksek entegrasyon oranı sağlayan ultra-kompakt paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Power management, anahtarlama devreleri, batarya yönetimi ve portatif elektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok