Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8461DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8461DB
SI8461DB-T2-E1 Hakkında
SI8461DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.5A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu komponentin maksimum gate-source gerilimi ±8V'dir. RDS(on) değeri 4.5V gate geriliminde 100mOhm olarak belirlenmiştir. Surface mount 4-Microfoot (4-XFBGA/CSPBGA) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 24nC gate charge ve 610pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. Motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları, analog anahtarlamalar ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok