Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8457DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8457DB
SI8457DB-T1-E1 Hakkında
SI8457DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 6.5A sürekli dren akımına sahiptir. 4-UFBGA (1.6x1.6mm) yüzeye monte paket içinde sağlanan komponent, düşük Rds On değeri (19mOhm @ 3A, 4.5V) sayesinde güç kaybını minimize eder. Gate charge 93nC olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri, yük anahtarlaması ve batarya koruma devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 1.8V ve 4.5V sürüş gerilimlerinde optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok