Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8451DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 10.8A 6MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8451
SI8451DB-T2-E1 Hakkında
SI8451DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ile 10.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6-Micro Foot (1.5x1mm) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 80mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. 24nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sürelerine olanak tanır. Not: Bu parça üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok