Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI8447DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 11A 6MICRO FOOT

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-UFBGA
Seri / Aile Numarası
SI8447DB

SI8447DB-T2-E1 Hakkında

Vishay SI8447DB-T2-E1, P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 11A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 75mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamalarına uygundur. 6-Micro Foot (1.5x1mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama regülatörleri ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, 2.77W (25°C) güç tüketimiyle tasarlanmıştır. Kompakt boyutu, yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Parça obsolete konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.7V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UFBGA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok