Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8445DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8445DB
SI8445DB-T2-E1 Hakkında
SI8445DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 9.8A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 4.5V gate voltajında 84mOhm (maksimum) çalışma direnci ile düşük açma kaybı sunar. 4-Microfoot (4-XFBGA) yüzey montajlı paketinde sunulur ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 16nC gate charge ve 700pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilebilir. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok