Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8439DB-T1-E1
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8439
SI8439DB-T1-E1 Hakkında
SI8439DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source voltaj desteği ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç tüketimli elektronik devrelerde, batarya yönetim sistemlerinde ve portable cihazlarda tercih edilir. 25mOhm (4.5V, 1.5A) RDS(on) değeri ile verimli performans sağlar. 4-Microfoot SMD paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uyundur. Surface mount teknolojisi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok