Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8435DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 10A 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8435
SI8435DB-T1-E1 Hakkında
SI8435DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 10A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, düşük güç kayıpları gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 41mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. 4-Microfoot (4-XFBGA) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, battery management systemleri, DC-DC konvertörler ve anahtarlama reglülatör devrelerinde uygulanabilir. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok