Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8429DB-T1-E1
MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8429
SI8429DB-T1-E1 Hakkında
SI8429DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source gerilimi ve 11.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 4-Microfoot (4-XFBGA/CSPBGA) SMD paketinde sunulmaktadır. 35mΩ maksimum on-direnci (Rds(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, yük kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 26nC gate charge ve 1640pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. ±5V maksimum gate-source gerilimi ile çeşitli kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok