Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8425DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8425
SI8425DB-T1-E1 Hakkında
SI8425DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj desteği ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 5.9A sürekli drenaj akımı kapasitesi, düşük RDS(on) değeri (23mΩ @ 2A, 4.5V) ve kompakt 4-WLCSP paket tasarımı ile mobil cihazlar, pil yönetim sistemleri ve IoT uygulamalarında enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA, WLCSP |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-WLCSP (1.6x1.6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok