Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8424DB-T1-E1
MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8424DB
SI8424DB-T1-E1 Hakkında
SI8424DB-T1-E1, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 8V Drain-Source gerilimi ve 12.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (31mOhm @ 4.5V) ile enerji verimliliği sağlar. 4-XFBGA/CSPBGA ultra kompakt paketinde sunulan SI8424DB, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (33nC @ 5V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok