Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI8417DB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 14.5A 6MICROFOOT
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-MICRO FOOT®CSP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI8417DB
SI8417DB-T2-E1 Hakkında
SI8417DB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 14.5A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, düşük açık direnci (Rds On) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6-Micro Foot CSP paket tipi ile kompakt tasarımlara uyarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, enerji dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 57 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama sağlar. Noteworthy: Üretimi durdurulmuş (Obsolete) bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2220 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-MICRO FOOT®CSP |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok